Репозитарій Дрогобицького державного педагогічного університету імені Івана Франка!
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://ir.dspu.edu.ua/jspui/handle/123456789/8707| Назва: | Effect of electric field and acceptor position on the energy spectrum of GaAs/AlAs quantum dot |
| Інші назви: | Effect of electric field and acceptor position on the energy spectrum of GaAs/AlAs quantum dot |
| Автори: | Білинський, Ігор Васильович Лешко, Роман Ярославович Мецан, Христина Орестівна Слюсаренко, Микола Анатолійович |
| Ключові слова: | Hole energy spectrum Multiband hole model Level splitting Electric field Acceptor impurity |
| Дата публікації: | 1-жов-2022 |
| Видавництво: | Physica B: Condensed Matter |
| Короткий огляд (реферат): | The spherical quantum dot (QD) with acceptor impurity in the external electric field has been considered. A multiband model of the valence band has been applied. Quantum Stark effect has been studied for hole levels in the QD. The influence of acceptor and electric field on hole-level splitting has been defined. Those influences will change the optical parameters of QDs. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | https://doi.org/10.1016/j.physb.2022.414106 http://ir.dspu.edu.ua/jspui/handle/123456789/8707 |
| Розташовується у зібраннях: | Наукові видання |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Scopus - Document Details.pdf | 161,7 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.