Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ir.dspu.edu.ua/jspui/handle/123456789/8706
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorЛешко, Роман Ярославович-
dc.contributor.authorБілинський, Ігор Васильович-
dc.date.accessioned2026-02-25T07:37:21Z-
dc.date.available2026-02-25T07:37:21Z-
dc.date.issued2020-01-
dc.identifier.urihttps://doi.org/10.1016/j.physe.2019.113703-
dc.identifier.urihttp://ir.dspu.edu.ua/jspui/handle/123456789/8706-
dc.description.abstractThe strained spherical quantum dot (QD) InAs/GaAs heterosystem has been considered. A single band model for electrons and a multiband model for holes have been applied. In both models the polarization charges which arise at the surfaces have been taken into account. Deformation of the QD and matrix has been regarded in the electron and hole spectra. For the InAs/GaAs heterosystem polarization and deformation effects change the electron and hole spectra in the opposite manner: polarization charges at the interfaces increase the energy, while deformation effects decrease it.uk_UA
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherPhysica E: Low-dimensional Systems and Nanostructuresuk_UA
dc.subjectDeformationuk_UA
dc.subjectEnergy spectrumuk_UA
dc.subjectMultiband hole modeluk_UA
dc.subjectPolarization chargesuk_UA
dc.subjectStrained heterosystemuk_UA
dc.titleCombined effect of both polarization charges and deformation on energy spectrum of InAs/GaAs quantum dotuk_UA
dc.title.alternativeCombined effect of both polarization charges and deformation on energy spectrum of InAs/GaAs quantum dotuk_UA
dc.typeСтаттяuk_UA
Розташовується у зібраннях:Наукові видання

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Scopus - Document Details.pdf167,46 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.