Вплив обмежених та інтерфейсних фононів на міжзонне поглинання світла у квантових точках CdS

Abstract

Досліджено вплив обмежених та інтерфейсних фононів на коефіцієнт екситонного поглинання поляризованого світла від його частоти для сферичних квантових точок CdS, які поміщені у діелектричну матрицю SiO2. Враховано складну структуру валентної зони, а саме її виродження у точці Г, у моделі багатозонної ефективної маси. Обчислення проводились для різних температур (від гелієвих до кімнатних температур) і радіусів сферичної квантової точки гетероструктури CdS/SiO2. Досліджувалися такі розміри квантових точок, коли енергетичні рівні електрона та дірки достатньо віддалені один від одного. Визначено параметр електрон-фононної взаємодії (фактор Хуанга-Ріса) для різних радіусів квантових точок. Обчислено коефіцієнти поглинання, що зумовлені переходами носіїв заряду між найнижчими двома оптично активними рівнями у квантовій точці під впливом лінійно-поляризованого світла. Враховано дисперсію квантових точок за розмірами за допомогою розподілу Гауса. Максимальна дисперсія за розмірами становила 5%. Отримано на спектрах поглинання фононні повтори. Зроблено порівняння отриманих результатів із відповідними при врахуванні окремих гілок поляризаційних фононів.