<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<feed xmlns="http://www.w3.org/2005/Atom" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/">
  <title>DSpace Собрание:</title>
  <link rel="alternate" href="http://ir.dspu.edu.ua/jspui/handle/123456789/6501" />
  <subtitle />
  <id>http://ir.dspu.edu.ua/jspui/handle/123456789/6501</id>
  <updated>2026-04-13T15:03:12Z</updated>
  <dc:date>2026-04-13T15:03:12Z</dc:date>
  <entry>
    <title>Вплив деформації на електронні стани полярона в квантовій точці InAs/GaAs</title>
    <link rel="alternate" href="http://ir.dspu.edu.ua/jspui/handle/123456789/6736" />
    <author>
      <name>Пелещак, Роман Михайлович</name>
    </author>
    <author>
      <name>Грушка, В. І.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Угрин, Юрій Орестович</name>
    </author>
    <author>
      <name>Брижко, В. С.</name>
    </author>
    <id>http://ir.dspu.edu.ua/jspui/handle/123456789/6736</id>
    <updated>2025-09-26T08:57:34Z</updated>
    <published>2016-01-01T00:00:00Z</published>
    <summary type="text">Название: Вплив деформації на електронні стани полярона в квантовій точці InAs/GaAs
Авторы: Пелещак, Роман Михайлович; Грушка, В. І.; Угрин, Юрій Орестович; Брижко, В. С.
Краткий осмотр (реферат): Розглянуто напружену наногетеросистему InAs/GaAs із сферичними квантовими&#xD;
точками InAs. Показано, що в даній системі існують деформаційні поля, які&#xD;
виникають на межі розподілу квантова точка-матриця, що призводять до&#xD;
підсилення поляронних ефектів порівняно з недеформованими матеріалами.&#xD;
Розраховано всебічну дефорацію матеріалів КТ InAs сферичної симетрії та матриці&#xD;
GaAs і енергію зв’язку деформаційного електронного полярона в напруженій&#xD;
наногетеросистемі InAs/GaAs. Встановлено, шо деформація матеріалів квантової&#xD;
точки і матриці призводить до збільшення енергії зв’язку електронного полярона.</summary>
    <dc:date>2016-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </entry>
  <entry>
    <title>Чисельне дослідження міцності трубопроводу з урахуванням потенційного розвитку наявних корозійних тріщиноподібних дефектів</title>
    <link rel="alternate" href="http://ir.dspu.edu.ua/jspui/handle/123456789/6735" />
    <author>
      <name>Лужецький, Василь Степанович</name>
    </author>
    <id>http://ir.dspu.edu.ua/jspui/handle/123456789/6735</id>
    <updated>2025-09-26T08:24:23Z</updated>
    <published>2016-01-01T00:00:00Z</published>
    <summary type="text">Название: Чисельне дослідження міцності трубопроводу з урахуванням потенційного розвитку наявних корозійних тріщиноподібних дефектів
Авторы: Лужецький, Василь Степанович
Краткий осмотр (реферат): Наведено результати чисельного оцінювання кінетики та зміни форми&#xD;
корозійно-механічних тріщиноподібних дефектів при їх розвитку в стінці&#xD;
трубопроводу для різних систем “матеріал – середовище”. Показано, що&#xD;
початкова форма дефекту завжди впливає на кінетику його подальшого&#xD;
поширення в глибину стінки труби.</summary>
    <dc:date>2016-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </entry>
  <entry>
    <title>Природа відстані найкращого бачення</title>
    <link rel="alternate" href="http://ir.dspu.edu.ua/jspui/handle/123456789/6734" />
    <author>
      <name>Угрин, Юрій Орестович</name>
    </author>
    <author>
      <name>Трембецький, М. В.</name>
    </author>
    <id>http://ir.dspu.edu.ua/jspui/handle/123456789/6734</id>
    <updated>2025-09-26T08:21:22Z</updated>
    <published>2016-01-01T00:00:00Z</published>
    <summary type="text">Название: Природа відстані найкращого бачення
Авторы: Угрин, Юрій Орестович; Трембецький, М. В.
Краткий осмотр (реферат): Досліджено причини формування відстані найкращого бачення.&#xD;
Показано, що в навчальних підручниках з фізики і біофізики немає&#xD;
вичерпного пояснення цієї величини. За допомогою обчислень для&#xD;
явища заломлення сферичною поверхнею непараксіальних променів&#xD;
доведено, що розпливчатість зображення точки на сітківці ока людини&#xD;
зменшується з віддаленням цієї точки від ока і практично перестає&#xD;
зменшуватись за відстані від ока близько 10 см. Зроблено висновок, що&#xD;
відстань найкращого бачення – це оптимальна відстань, яка є прийнятно малою для того, щоб була достатньою лінійна роздільна здатність&#xD;
і досить великою для того, щоб зображення кожної точки предмета&#xD;
утворювалось на сітківці від перетину параксіальних променів.</summary>
    <dc:date>2016-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </entry>
  <entry>
    <title>Вплив електричного поля на оптичні властивості домішкових квантових точок GaAs та CdS</title>
    <link rel="alternate" href="http://ir.dspu.edu.ua/jspui/handle/123456789/6733" />
    <author>
      <name>Бойчук, Василь Іванович</name>
    </author>
    <author>
      <name>Кропивницька, К.М.</name>
    </author>
    <author>
      <name>Лешко, Роман Ярославович</name>
    </author>
    <id>http://ir.dspu.edu.ua/jspui/handle/123456789/6733</id>
    <updated>2025-09-26T08:11:33Z</updated>
    <published>2016-01-01T00:00:00Z</published>
    <summary type="text">Название: Вплив електричного поля на оптичні властивості домішкових квантових точок GaAs та CdS
Авторы: Бойчук, Василь Іванович; Кропивницька, К.М.; Лешко, Роман Ярославович
Краткий осмотр (реферат): Досліджено оптичні властивості сферичної квантової точки з параболічним потенціалом обмеження у випадках, коли є донорна і акцепторна&#xD;
домішки та за наявності електричного поля. Обчислено силу осцилятора&#xD;
між основним і першим збудженим станами електрона для різних величин потенціалу обмеження та напруженості зовнішнього електричного&#xD;
поля. На основі знайдених сил осцилятора переходу отримано лінійний&#xD;
та нелінійний коефіцієнти поглинання та оптичний показник заломлення. Результати представлені як функції від енергії кванта падаючого&#xD;
світла при різних значеннях величини потенціалу й електричного поля.</summary>
    <dc:date>2016-01-01T00:00:00Z</dc:date>
  </entry>
</feed>

